SK 海力士宣布明年量产1Z nm DRAM 产品 能耗更低

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SK Hynix最近开发了一种新的DRAM工艺,据称是业界单核最大密度记录。

SK Hynix宣布已成功开发1Znm 16GB DDR4动态随机存取存储器(DRAM),刷新了业界单核最大密度的记录。与上一代1Y nm产品相比,其生产率提高了约27%,具有更高的价格竞争力,因为它不需要昂贵的极紫外(EUV)光刻。

此外,新型1Z nm DRAM还支持高达DDR4-3200的数据传输速率。与使用1Y nm技术构建的8Gb DRAM相同容量的模块相比,其能耗降低了40%。

值得一提的是,SK hynix引入了上一代制造工艺中未引入的新材料,以最大化1Z nm产品的电容。

作为DRAM操作的关键要素,它决定了可以存储在内存中的电荷量,新设计提高了操作稳定性。

SK hynix DRAM开发与业务主管Lee Jung-hoon说:

1Z nm DDR4 DRAM提供了业界最高的密度,速度和能效,使其成为高性能,高密度DRAM客户适应不断变化的需求的最佳选择。

SK hynix将于明年开始量产并全面交付,以对市场需求做出积极回应。

最后,SK hynix计划将1Znm工艺扩展到各种应用,例如下一代LPDDR5移动DRAM和更快的HBM3存储器。

(原标题:SK Hynix宣布明年将以较低的能耗量产1Z nm DRAM产品)

(编辑器:DF515)

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